PMGD8000LN Todos los transistores

 

PMGD8000LN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMGD8000LN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.125 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363 SC88
 

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PMGD8000LN Datasheet (PDF)

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PMGD8000LN

PMGD8000LNDual TrenchMOS logic level FETRev. 01 27 February 2003 Product dataMBD1281. DescriptionDual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PMGD8000LN in SOT363 (SC-88).2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pac

Otros transistores... PMFPB6545UP , PMG370XN , PMG85XP , PMGD280UN , PMGD290XN , PMGD370XN , PMGD400UN , PMGD780SN , IRLZ44N , PMK30EP , PMK35EP , PMK50XP , PML260SN , PML340SN , PMN20EN , PMN23UN , PMN25EN .

History: STW36N55M5 | SFG10R14BF | AM2358N | AP4438AGM-HF | VEC2315 | MPF6661 | VS6614DS-K

 

 
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