PMGD8000LN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMGD8000LN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.125 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: SOT363 SC88

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PMGD8000LN datasheet

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PMGD8000LN

PMGD8000LN Dual TrenchMOS logic level FET Rev. 01 27 February 2003 Product data MBD128 1. Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMGD8000LN in SOT363 (SC-88). 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pac

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