PMGD8000LN Todos los transistores

 

PMGD8000LN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMGD8000LN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.125 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363 SC88
 

 Búsqueda de reemplazo de PMGD8000LN MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PMGD8000LN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  philips
 pmgd8000ln.pdf pdf_icon

PMGD8000LN

PMGD8000LNDual TrenchMOS logic level FETRev. 01 27 February 2003 Product dataMBD1281. DescriptionDual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PMGD8000LN in SOT363 (SC-88).2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pac

Otros transistores... PMFPB6545UP , PMG370XN , PMG85XP , PMGD280UN , PMGD290XN , PMGD370XN , PMGD400UN , PMGD780SN , IRFP260N , PMK30EP , PMK35EP , PMK50XP , PML260SN , PML340SN , PMN20EN , PMN23UN , PMN25EN .

History: HSS1N20 | OSG65R580KF

 

 
Back to Top

 


 
.