PMGD8000LN Todos los transistores

 

PMGD8000LN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMGD8000LN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.125 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363 SC88
     - Selección de transistores por parámetros

 

PMGD8000LN Datasheet (PDF)

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PMGD8000LN

PMGD8000LNDual TrenchMOS logic level FETRev. 01 27 February 2003 Product dataMBD1281. DescriptionDual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PMGD8000LN in SOT363 (SC-88).2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pac

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP3P010AMT | SIHF9540S | HITJ0203MP | SPP80P06PH | SRC60R075BSD88 | IRFPC42R | JCS4AN120CA

 

 
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