PMGD8000LN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PMGD8000LN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.125 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
Тип корпуса: SOT363 SC88
PMGD8000LN Datasheet (PDF)
pmgd8000ln.pdf

PMGD8000LNDual TrenchMOS logic level FETRev. 01 27 February 2003 Product dataMBD1281. DescriptionDual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PMGD8000LN in SOT363 (SC-88).2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pac
Другие MOSFET... PMFPB6545UP , PMG370XN , PMG85XP , PMGD280UN , PMGD290XN , PMGD370XN , PMGD400UN , PMGD780SN , IRFP260N , PMK30EP , PMK35EP , PMK50XP , PML260SN , PML340SN , PMN20EN , PMN23UN , PMN25EN .
History: AP80T10GR | SIHF9640 | AFP3405
History: AP80T10GR | SIHF9640 | AFP3405



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706