Справочник MOSFET. PMGD8000LN

 

PMGD8000LN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMGD8000LN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.125 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT363 SC88
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMGD8000LN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  philips
 pmgd8000ln.pdf pdf_icon

PMGD8000LN

PMGD8000LNDual TrenchMOS logic level FETRev. 01 27 February 2003 Product dataMBD1281. DescriptionDual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PMGD8000LN in SOT363 (SC-88).2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pac

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RF1S40N10LESM | SIHG47N60S | IRF7379PBF | HGI110N08AL | HM7N60I | IXFT30N60Q | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.