PMGD8000LN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMGD8000LN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.125 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: SOT363 SC88

Аналог (замена) для PMGD8000LN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMGD8000LN даташит

 ..1. Size:233K  philips
 pmgd8000ln.pdf pdf_icon

PMGD8000LN

PMGD8000LN Dual TrenchMOS logic level FET Rev. 01 27 February 2003 Product data MBD128 1. Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMGD8000LN in SOT363 (SC-88). 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pac

Другие IGBT... PMFPB6545UP, PMG370XN, PMG85XP, PMGD280UN, PMGD290XN, PMGD370XN, PMGD400UN, PMGD780SN, IRLZ44N, PMK30EP, PMK35EP, PMK50XP, PML260SN, PML340SN, PMN20EN, PMN23UN, PMN25EN