PMGD8000LN - аналоги и даташиты транзистора

 

PMGD8000LN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMGD8000LN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.125 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT363 SC88
 

 Аналог (замена) для PMGD8000LN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMGD8000LN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  philips
 pmgd8000ln.pdf pdf_icon

PMGD8000LN

PMGD8000LNDual TrenchMOS logic level FETRev. 01 27 February 2003 Product dataMBD1281. DescriptionDual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PMGD8000LN in SOT363 (SC-88).2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount pac

Другие MOSFET... PMFPB6545UP , PMG370XN , PMG85XP , PMGD280UN , PMGD290XN , PMGD370XN , PMGD400UN , PMGD780SN , IRLZ44N , PMK30EP , PMK35EP , PMK50XP , PML260SN , PML340SN , PMN20EN , PMN23UN , PMN25EN .

History: QM3006M3 | NCE60H10K

 

 
Back to Top

 


 
.