PMK30EP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMK30EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de PMK30EP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PMK30EP datasheet

 ..1. Size:163K  philips
 pmk30ep.pdf pdf_icon

PMK30EP

PMK30EP P-channel TrenchMOS extremely low level FET Rev. 04 25 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

 ..2. Size:761K  nxp
 pmk30ep.pdf pdf_icon

PMK30EP

PMK30EP P-channel TrenchMOS extremely low level FET Rev. 04 25 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Otros transistores... PMG370XN, PMG85XP, PMGD280UN, PMGD290XN, PMGD370XN, PMGD400UN, PMGD780SN, PMGD8000LN, IRFB4110, PMK35EP, PMK50XP, PML260SN, PML340SN, PMN20EN, PMN23UN, PMN25EN, PMN25UN