PMK30EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMK30EP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMK30EP
PMK30EP Datasheet (PDF)
pmk30ep.pdf
PMK30EPP-channel TrenchMOS extremely low level FETRev. 04 25 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionExtremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
pmk30ep.pdf
PMK30EPP-channel TrenchMOS extremely low level FETRev. 04 25 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionExtremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
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History: SIHP6N65E | SIHG47N60E
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Liste
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