PMK30EP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMK30EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для PMK30EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMK30EP даташит

 ..1. Size:163K  philips
 pmk30ep.pdf pdf_icon

PMK30EP

PMK30EP P-channel TrenchMOS extremely low level FET Rev. 04 25 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

 ..2. Size:761K  nxp
 pmk30ep.pdf pdf_icon

PMK30EP

PMK30EP P-channel TrenchMOS extremely low level FET Rev. 04 25 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Другие IGBT... PMG370XN, PMG85XP, PMGD280UN, PMGD290XN, PMGD370XN, PMGD400UN, PMGD780SN, PMGD8000LN, IRFB4110, PMK35EP, PMK50XP, PML260SN, PML340SN, PMN20EN, PMN23UN, PMN25EN, PMN25UN