PMK30EP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMK30EP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 6.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.019 Ohm
Тип корпуса: SO8
PMK30EP Datasheet (PDF)
pmk30ep.pdf
PMK30EPP-channel TrenchMOS extremely low level FETRev. 04 25 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionExtremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
pmk30ep.pdf
PMK30EPP-channel TrenchMOS extremely low level FETRev. 04 25 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionExtremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
