Справочник MOSFET. PMK30EP

 

PMK30EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMK30EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMK30EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  philips
 pmk30ep.pdf pdf_icon

PMK30EP

PMK30EPP-channel TrenchMOS extremely low level FETRev. 04 25 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionExtremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

 ..2. Size:761K  nxp
 pmk30ep.pdf pdf_icon

PMK30EP

PMK30EPP-channel TrenchMOS extremely low level FETRev. 04 25 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionExtremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HCS90R1K6S | S10H08RP | SI7868ADP | AUIRF2804S-7P | WMM053N10HGS | BSZ018N04LS6 | MTP2955L3

 

 
Back to Top

 


 
.