Справочник MOSFET. PMK30EP

 

PMK30EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMK30EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для PMK30EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMK30EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  philips
 pmk30ep.pdf pdf_icon

PMK30EP

PMK30EPP-channel TrenchMOS extremely low level FETRev. 04 25 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionExtremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

 ..2. Size:761K  nxp
 pmk30ep.pdf pdf_icon

PMK30EP

PMK30EPP-channel TrenchMOS extremely low level FETRev. 04 25 October 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionExtremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Другие MOSFET... PMG370XN , PMG85XP , PMGD280UN , PMGD290XN , PMGD370XN , PMGD400UN , PMGD780SN , PMGD8000LN , IRF640N , PMK35EP , PMK50XP , PML260SN , PML340SN , PMN20EN , PMN23UN , PMN25EN , PMN25UN .

History: P0550EI | DHS021N04P | SM3419NHQA | RS1G180MN | AUIRF7769L2TR | CPH6311 | KQB2N50

 

 
Back to Top

 


 
.