PMK50XP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMK50XP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SO8

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PMK50XP datasheet

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PMK50XP

PMK50XP P-channel TrenchMOS extremely low level FET Rev. 02 28 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Extremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1

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PMK50XP

PMK50XP www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition a 0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET - 13 a 100 % Rg Tested 0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC - 10 Built in ESD Protection with Zener Diode 0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typical E

Otros transistores... PMGD280UN, PMGD290XN, PMGD370XN, PMGD400UN, PMGD780SN, PMGD8000LN, PMK30EP, PMK35EP, IRFP260N, PML260SN, PML340SN, PMN20EN, PMN23UN, PMN25EN, PMN25UN, PMN27UN, PMN27UP