Справочник MOSFET. PMK50XP

 

PMK50XP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMK50XP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для PMK50XP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMK50XP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  philips
 pmk50xp.pdf pdf_icon

PMK50XP

PMK50XPP-channel TrenchMOS extremely low level FETRev. 02 28 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionExtremely low level P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1

 ..2. Size:850K  cn vbsemi
 pmk50xp.pdf pdf_icon

PMK50XP

PMK50XPwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typical E

Другие MOSFET... PMGD280UN , PMGD290XN , PMGD370XN , PMGD400UN , PMGD780SN , PMGD8000LN , PMK30EP , PMK35EP , 10N60 , PML260SN , PML340SN , PMN20EN , PMN23UN , PMN25EN , PMN25UN , PMN27UN , PMN27UP .

History: SPP15N65C3 | 6N65KL-TMS2-T | AFN3430W

 

 
Back to Top

 


 
.