PMN20EN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMN20EN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.545 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de PMN20EN MOSFET
PMN20EN Datasheet (PDF)
pmn20ena.pdf

PMN20ENA40 V, N-channel Trench MOSFET30 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology AE
Otros transistores... PMGD400UN , PMGD780SN , PMGD8000LN , PMK30EP , PMK35EP , PMK50XP , PML260SN , PML340SN , P55NF06 , PMN23UN , PMN25EN , PMN25UN , PMN27UN , PMN27UP , PMN28UN , PMN34LN , PMN34UN .
History: 2SK2160 | 2SK2074 | APQ110SN5EA | 36N06 | BRCS250N10SDP | AUIRFR2307ZTR | 6N60KL-TA3-T
History: 2SK2160 | 2SK2074 | APQ110SN5EA | 36N06 | BRCS250N10SDP | AUIRFR2307ZTR | 6N60KL-TA3-T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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