Справочник MOSFET. PMN20EN

 

PMN20EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMN20EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.545 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для PMN20EN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN20EN Datasheet (PDF)

 0.1. Size:289K  nxp
 pmn20ena.pdf pdf_icon

PMN20EN

PMN20ENA40 V, N-channel Trench MOSFET30 April 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology AE

Другие MOSFET... PMGD400UN , PMGD780SN , PMGD8000LN , PMK30EP , PMK35EP , PMK50XP , PML260SN , PML340SN , P55NF06 , PMN23UN , PMN25EN , PMN25UN , PMN27UN , PMN27UP , PMN28UN , PMN34LN , PMN34UN .

History: SPI07N60C3 | CWDM305P | DE275-102N06A | FDZ7296 | IPA50R280CE | NTMFS5113PL | VS2522AL

 

 
Back to Top

 


 
.