PMN20EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN20EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.545 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN20EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN20EN даташит

 0.1. Size:289K  nxp
 pmn20ena.pdf pdf_icon

PMN20EN

PMN20ENA 40 V, N-channel Trench MOSFET 30 April 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology AE

Другие IGBT... PMGD400UN, PMGD780SN, PMGD8000LN, PMK30EP, PMK35EP, PMK50XP, PML260SN, PML340SN, IRF3710, PMN23UN, PMN25EN, PMN25UN, PMN27UN, PMN27UP, PMN28UN, PMN34LN, PMN34UN