PMN48XP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMN48XP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.53 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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PMN48XP datasheet

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PMN48XP

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PMN48XP

PMN48XPA 20 V, P-channel Trench MOSFET 17 May 2019 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET technology Very fast switching AEC-Q101 qualified 3. A

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