PMN48XP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMN48XP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для PMN48XP
PMN48XP Datasheet (PDF)
pmn48xp.pdf

PMN48XP20 V, 4.1 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 21 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Low RDSon Trench MOSFET technology Very fast switching1.
pmn48xpa.pdf

PMN48XPA20 V, P-channel Trench MOSFET17 May 2019 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET technology Very fast switching AEC-Q101 qualified3. A
Другие MOSFET... PMN28UN , PMN34LN , PMN34UN , PMN34UP , PMN35EN , PMN38EN , PMN40LN , PMN45EN , K3569 , PMN49EN , PMN55LN , PMR280UN , PMR290XN , PMR370XN , PMR400UN , PMR780SN , PMT21EN .
History: IPP80N08S2-07 | BLP14N08L-D | DH045N06 | PMGD280UN | PMG370XN | SI7322DN
History: IPP80N08S2-07 | BLP14N08L-D | DH045N06 | PMGD280UN | PMG370XN | SI7322DN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI
Popular searches
2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383