PMN48XP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMN48XP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для PMN48XP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMN48XP даташит

 ..1. Size:1109K  nxp
 pmn48xp.pdf pdf_icon

PMN48XP

PMN48XP 20 V, 4.1 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 21 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Low RDSon Trench MOSFET technology Very fast switching 1.

 0.1. Size:261K  nxp
 pmn48xpa.pdf pdf_icon

PMN48XP

PMN48XPA 20 V, P-channel Trench MOSFET 17 May 2019 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET technology Very fast switching AEC-Q101 qualified 3. A

Другие IGBT... PMN28UN, PMN34LN, PMN34UN, PMN34UP, PMN35EN, PMN38EN, PMN40LN, PMN45EN, 2N7002, PMN49EN, PMN55LN, PMR280UN, PMR290XN, PMR370XN, PMR400UN, PMR780SN, PMT21EN