PMV117EN Todos los transistores

 

PMV117EN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMV117EN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.117 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO236AB
 

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PMV117EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  tysemi
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PMV117EN

Product specificationPMV117ENTrenchMOS enhanced logic level FETRev. 02 7 April 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very fast switching Subminiature surface-mountedpackage1.3 Applicat

Otros transistores... PMN55LN , PMR280UN , PMR290XN , PMR370XN , PMR400UN , PMR780SN , PMT21EN , PMT29EN , IRFB3607 , PMV160UP , PMV16UN , PMV20XN , PMV213SN , PMV22EN , PMV28UN , PMV30UN , PMV30XN .

History: IXTH20N50D | IXTY1N80 | AM6411P | IRF7484Q | BSC072N04LD | HY1908PS | SM3106NSU

 

 
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