PMV117EN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMV117EN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.117 Ohm

Encapsulados: TO236AB

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PMV117EN datasheet

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PMV117EN

Product specification PMV117EN TrenchMOS enhanced logic level FET Rev. 02 7 April 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Very fast switching Subminiature surface-mounted package 1.3 Applicat

Otros transistores... PMN55LN, PMR280UN, PMR290XN, PMR370XN, PMR400UN, PMR780SN, PMT21EN, PMT29EN, K4145, PMV160UP, PMV16UN, PMV20XN, PMV213SN, PMV22EN, PMV28UN, PMV30UN, PMV30XN