PMV117EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV117EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.117 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для PMV117EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV117EN даташит

 ..1. Size:127K  tysemi
 pmv117en.pdf pdf_icon

PMV117EN

Product specification PMV117EN TrenchMOS enhanced logic level FET Rev. 02 7 April 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Very fast switching Subminiature surface-mounted package 1.3 Applicat

Другие IGBT... PMN55LN, PMR280UN, PMR290XN, PMR370XN, PMR400UN, PMR780SN, PMT21EN, PMT29EN, K4145, PMV160UP, PMV16UN, PMV20XN, PMV213SN, PMV22EN, PMV28UN, PMV30UN, PMV30XN