Справочник MOSFET. PMV117EN

 

PMV117EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV117EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.117 Ohm
   Тип корпуса: TO236AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV117EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  tysemi
 pmv117en.pdf pdf_icon

PMV117EN

Product specificationPMV117ENTrenchMOS enhanced logic level FETRev. 02 7 April 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very fast switching Subminiature surface-mountedpackage1.3 Applicat

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.