Справочник MOSFET. PMV117EN

 

PMV117EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV117EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.117 Ohm
   Тип корпуса: TO236AB
 

 Аналог (замена) для PMV117EN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV117EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  tysemi
 pmv117en.pdf pdf_icon

PMV117EN

Product specificationPMV117ENTrenchMOS enhanced logic level FETRev. 02 7 April 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very fast switching Subminiature surface-mountedpackage1.3 Applicat

Другие MOSFET... PMN55LN , PMR280UN , PMR290XN , PMR370XN , PMR400UN , PMR780SN , PMT21EN , PMT29EN , IRFB3607 , PMV160UP , PMV16UN , PMV20XN , PMV213SN , PMV22EN , PMV28UN , PMV30UN , PMV30XN .

History: IXTH75N10L2 | UF830L-TM3-T | AP2864I-A-HF | PH1330AL | ZXMP10A13FTA | RJU003N03FRA

 

 
Back to Top

 


 
.