PMV213SN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMV213SN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: TO236AB

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PMV213SN datasheet

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PMV213SN

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

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PMV213SN

PMV213SN www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested 0.240 at VGS = 10 V 2.0 Material categorization 0.250 at VGS = 6 V 100 1.8 2.9 nC 0.260 at VGS = 4.5 V 1.7 APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switch LED Backlightin

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