PMV213SN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV213SN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для PMV213SN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV213SN даташит

 ..1. Size:345K  nxp
 pmv213sn.pdf pdf_icon

PMV213SN

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 ..2. Size:1788K  cn vbsemi
 pmv213sn.pdf pdf_icon

PMV213SN

PMV213SN www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested 0.240 at VGS = 10 V 2.0 Material categorization 0.250 at VGS = 6 V 100 1.8 2.9 nC 0.260 at VGS = 4.5 V 1.7 APPLICATIONS DC/DC Converters Load Switch LED Backlightin

Другие IGBT... PMR400UN, PMR780SN, PMT21EN, PMT29EN, PMV117EN, PMV160UP, PMV16UN, PMV20XN, 5N65, PMV22EN, PMV28UN, PMV30UN, PMV30XN, PMV31XN, PMV32UP, PMV37EN, PMV40UN