PMV22EN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMV22EN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.51 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TO236AB
Búsqueda de reemplazo de PMV22EN MOSFET
PMV22EN Datasheet (PDF)
pmv22en.pdf

Product specificationPMV22EN30 V, 5.2 A N-channel Trench MOSFETRev. 1 30 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET
Otros transistores... PMR780SN , PMT21EN , PMT29EN , PMV117EN , PMV160UP , PMV16UN , PMV20XN , PMV213SN , TK10A60D , PMV28UN , PMV30UN , PMV30XN , PMV31XN , PMV32UP , PMV37EN , PMV40UN , PMV45EN .
History: JCS1404C | PMV16UN | PMCPB5530X | BUK9M7R2-40E | IXTA200N075T7 | FDM30R650AN4G | BUK9M6R6-30E
History: JCS1404C | PMV16UN | PMCPB5530X | BUK9M7R2-40E | IXTA200N075T7 | FDM30R650AN4G | BUK9M6R6-30E



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
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