PMV22EN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMV22EN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: TO236AB
Аналог (замена) для PMV22EN
PMV22EN Datasheet (PDF)
pmv22en.pdf

Product specificationPMV22EN30 V, 5.2 A N-channel Trench MOSFETRev. 1 30 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET
Другие MOSFET... PMR780SN , PMT21EN , PMT29EN , PMV117EN , PMV160UP , PMV16UN , PMV20XN , PMV213SN , IRF530 , PMV28UN , PMV30UN , PMV30XN , PMV31XN , PMV32UP , PMV37EN , PMV40UN , PMV45EN .
History: PHB33NQ20T | AS4375 | MTB110P10E3
History: PHB33NQ20T | AS4375 | MTB110P10E3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555