PMV22EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV22EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для PMV22EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV22EN даташит

 ..1. Size:326K  tysemi
 pmv22en.pdf pdf_icon

PMV22EN

Product specification PMV22EN 30 V, 5.2 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 30 March 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET

Другие IGBT... PMR780SN, PMT21EN, PMT29EN, PMV117EN, PMV160UP, PMV16UN, PMV20XN, PMV213SN, IRF1010E, PMV28UN, PMV30UN, PMV30XN, PMV31XN, PMV32UP, PMV37EN, PMV40UN, PMV45EN