PMV22EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PMV22EN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: TO236AB
Аналог (замена) для PMV22EN
PMV22EN Datasheet (PDF)
pmv22en.pdf

Product specificationPMV22EN30 V, 5.2 A N-channel Trench MOSFETRev. 1 30 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET
Другие MOSFET... PMR780SN , PMT21EN , PMT29EN , PMV117EN , PMV160UP , PMV16UN , PMV20XN , PMV213SN , IRF530 , PMV28UN , PMV30UN , PMV30XN , PMV31XN , PMV32UP , PMV37EN , PMV40UN , PMV45EN .
History: IPD49CN10NG | HGT007NE6A | PH3030AL | STU3LN62K3
History: IPD49CN10NG | HGT007NE6A | PH3030AL | STU3LN62K3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555