PMV22EN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMV22EN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: TO236AB
Аналог (замена) для PMV22EN
PMV22EN Datasheet (PDF)
pmv22en.pdf
Product specificationPMV22EN30 V, 5.2 A N-channel Trench MOSFETRev. 1 30 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Trench MOSFET
Другие MOSFET... PMR780SN , PMT21EN , PMT29EN , PMV117EN , PMV160UP , PMV16UN , PMV20XN , PMV213SN , IRF1010E , PMV28UN , PMV30UN , PMV30XN , PMV31XN , PMV32UP , PMV37EN , PMV40UN , PMV45EN .
History: KND4365A | STW8NA60 | PMV30UN | 8N60G-T2Q-T | KND4360A
History: KND4365A | STW8NA60 | PMV30UN | 8N60G-T2Q-T | KND4360A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555


