PMV31XN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMV31XN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm

Encapsulados: TO236AB

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PMV31XN datasheet

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PMV31XN

PMV31XN TrenchMOS extremely low level FET Rev. 01 26 February 2003 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV31XN in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Surface mount package. 3. Applications Battery powere

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PMV31XN

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