PMV31XN Todos los transistores

 

PMV31XN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMV31XN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO236AB
 

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PMV31XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  philips
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PMV31XN

PMV31XNTrenchMOS extremely low level FETRev. 01 26 February 2003 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PMV31XN in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Surface mount package.3. Applications Battery powere

 ..2. Size:210K  tysemi
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PMV31XN

Product specificationPMV31XNN-channel TrenchMOS FETRev. 2 30 November 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology

Otros transistores... PMV160UP , PMV16UN , PMV20XN , PMV213SN , PMV22EN , PMV28UN , PMV30UN , PMV30XN , IRLB4132 , PMV32UP , PMV37EN , PMV40UN , PMV45EN , PMV48XP , PMV56XN , PMV60EN , PMV65XP .

History: FQP27P06SW82127 | HGD320N20S | RQ3E120AT | SUM110N04-03 | PE848DU | ME4920 | RQK0302GGDQS

 

 
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