Справочник MOSFET. PMV31XN

 

PMV31XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV31XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: TO236AB
 

 Аналог (замена) для PMV31XN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV31XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  philips
 pmv31xn.pdf pdf_icon

PMV31XN

PMV31XNTrenchMOS extremely low level FETRev. 01 26 February 2003 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PMV31XN in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Surface mount package.3. Applications Battery powere

 ..2. Size:210K  tysemi
 pmv31xn.pdf pdf_icon

PMV31XN

Product specificationPMV31XNN-channel TrenchMOS FETRev. 2 30 November 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology

Другие MOSFET... PMV160UP , PMV16UN , PMV20XN , PMV213SN , PMV22EN , PMV28UN , PMV30UN , PMV30XN , IRLB4132 , PMV32UP , PMV37EN , PMV40UN , PMV45EN , PMV48XP , PMV56XN , PMV60EN , PMV65XP .

History: ELM57800GA | ME7607-G

 

 
Back to Top

 


 
.