PMV31XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PMV31XN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
Тип корпуса: TO236AB
Аналог (замена) для PMV31XN
PMV31XN Datasheet (PDF)
pmv31xn.pdf

PMV31XNTrenchMOS extremely low level FETRev. 01 26 February 2003 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PMV31XN in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Surface mount package.3. Applications Battery powere
pmv31xn.pdf

Product specificationPMV31XNN-channel TrenchMOS FETRev. 2 30 November 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching Trench MOSFET technology
Другие MOSFET... PMV160UP , PMV16UN , PMV20XN , PMV213SN , PMV22EN , PMV28UN , PMV30UN , PMV30XN , IRLB4132 , PMV32UP , PMV37EN , PMV40UN , PMV45EN , PMV48XP , PMV56XN , PMV60EN , PMV65XP .
History: SM2223PSQG | FDS6680S | PK5G6EA | 2SK681A | FK3F0301 | BSC035N04LSG | STN4260
History: SM2223PSQG | FDS6680S | PK5G6EA | 2SK681A | FK3F0301 | BSC035N04LSG | STN4260



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306