PMV31XN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV31XN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для PMV31XN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV31XN даташит

 ..1. Size:241K  philips
 pmv31xn.pdf pdf_icon

PMV31XN

PMV31XN TrenchMOS extremely low level FET Rev. 01 26 February 2003 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV31XN in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Surface mount package. 3. Applications Battery powere

 ..2. Size:210K  tysemi
 pmv31xn.pdf pdf_icon

PMV31XN

Другие IGBT... PMV160UP, PMV16UN, PMV20XN, PMV213SN, PMV22EN, PMV28UN, PMV30UN, PMV30XN, CS150N03A8, PMV32UP, PMV37EN, PMV40UN, PMV45EN, PMV48XP, PMV56XN, PMV60EN, PMV65XP