PMV32UP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMV32UP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.51 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: TO236AB

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PMV32UP datasheet

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PMV32UP

PMV32UP 20 V, 4 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 11 March 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 1.8 V drain-source on-state resistance Very fast switching r

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PMV32UP

Product specification PMV32UP 20 V, 4 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 11 March 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 1.8 V drain-source on-state resistance

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