PMV32UP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PMV32UP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.51 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO236AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMV32UP

PMV32UP Datasheet (PDF)

..1. Size:1546K nxp
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PMV32UP20 V, 4 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 11 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V drain-source on-state resistance Very fast switchingr

..2. Size:327K tysemi
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Product specificationPMV32UP20 V, 4 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 11 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V drain-source on-state resistance

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History: IRF3007PBF

Liste

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