PMV32UP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMV32UP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: TO236AB
Аналог (замена) для PMV32UP
PMV32UP Datasheet (PDF)
pmv32up.pdf
PMV32UP20 V, 4 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 11 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V drain-source on-state resistance Very fast switchingr
pmv32up.pdf
Product specificationPMV32UP20 V, 4 A P-channel Trench MOSFETRev. 1 11 March 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits 1.8 V drain-source on-state resistance
Другие MOSFET... PMV16UN , PMV20XN , PMV213SN , PMV22EN , PMV28UN , PMV30UN , PMV30XN , PMV31XN , NCEP15T14 , PMV37EN , PMV40UN , PMV45EN , PMV48XP , PMV56XN , PMV60EN , PMV65XP , PMZ1000UN .
History: AFN7400 | JMTQ3006B | OSS60R099KF | AFN7002KAS | IRFD310PBF
History: AFN7400 | JMTQ3006B | OSS60R099KF | AFN7002KAS | IRFD310PBF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor



