PMV32UP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV32UP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для PMV32UP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV32UP даташит

 ..1. Size:1546K  nxp
 pmv32up.pdf pdf_icon

PMV32UP

PMV32UP 20 V, 4 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 11 March 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 1.8 V drain-source on-state resistance Very fast switching r

 ..2. Size:327K  tysemi
 pmv32up.pdf pdf_icon

PMV32UP

Product specification PMV32UP 20 V, 4 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 11 March 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 1.8 V drain-source on-state resistance

Другие IGBT... PMV16UN, PMV20XN, PMV213SN, PMV22EN, PMV28UN, PMV30UN, PMV30XN, PMV31XN, NCEP15T14, PMV37EN, PMV40UN, PMV45EN, PMV48XP, PMV56XN, PMV60EN, PMV65XP, PMZ1000UN