PMV56XN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMV56XN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.92 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.76 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.65 VRds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO236AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMV56XN
PMV56XN Datasheet (PDF)
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PMV56XNTrenchMOS extremely low level FETRev. 02 24 June 2004 Product dataM3D0881. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.1.3 Applications Battery management
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Product specificationPMV56XNTrenchMOS extremely low level FETRev. 02 24 June 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.1.3 Applications Batte
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Liste
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