PMV56XN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMV56XN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.92 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.76 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: TO236AB

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PMV56XN datasheet

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PMV56XN

PMV56XN TrenchMOS extremely low level FET Rev. 02 24 June 2004 Product data M3D088 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package. 1.3 Applications Battery management

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PMV56XN

Product specification PMV56XN TrenchMOS extremely low level FET Rev. 02 24 June 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package. 1.3 Applications Batte

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