Справочник MOSFET. PMV56XN

 

PMV56XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV56XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.92 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.76 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO236AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV56XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  philips
 pmv56xn.pdf pdf_icon

PMV56XN

PMV56XNTrenchMOS extremely low level FETRev. 02 24 June 2004 Product dataM3D0881. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.1.3 Applications Battery management

 ..2. Size:100K  tysemi
 pmv56xn.pdf pdf_icon

PMV56XN

Product specificationPMV56XNTrenchMOS extremely low level FETRev. 02 24 June 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.1.3 Applications Batte

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: F20W50VX2 | TK3P50D | WSP4410 | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.