PMV56XN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV56XN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.92 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.76 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для PMV56XN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV56XN даташит

 ..1. Size:96K  philips
 pmv56xn.pdf pdf_icon

PMV56XN

PMV56XN TrenchMOS extremely low level FET Rev. 02 24 June 2004 Product data M3D088 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package. 1.3 Applications Battery management

 ..2. Size:100K  tysemi
 pmv56xn.pdf pdf_icon

PMV56XN

Product specification PMV56XN TrenchMOS extremely low level FET Rev. 02 24 June 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package. 1.3 Applications Batte

Другие IGBT... PMV30UN, PMV30XN, PMV31XN, PMV32UP, PMV37EN, PMV40UN, PMV45EN, PMV48XP, AO4407, PMV60EN, PMV65XP, PMZ1000UN, PMZ250UN, PMZ270XN, PMZ350XN, PMZ390UN, PMZ760SN