Справочник MOSFET. PMV56XN

 

PMV56XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV56XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.92 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO236AB
 

 Аналог (замена) для PMV56XN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV56XN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  philips
 pmv56xn.pdf pdf_icon

PMV56XN

PMV56XNTrenchMOS extremely low level FETRev. 02 24 June 2004 Product dataM3D0881. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.1.3 Applications Battery management

 ..2. Size:100K  tysemi
 pmv56xn.pdf pdf_icon

PMV56XN

Product specificationPMV56XNTrenchMOS extremely low level FETRev. 02 24 June 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.1.3 Applications Batte

Другие MOSFET... PMV30UN , PMV30XN , PMV31XN , PMV32UP , PMV37EN , PMV40UN , PMV45EN , PMV48XP , P60NF06 , PMV60EN , PMV65XP , PMZ1000UN , PMZ250UN , PMZ270XN , PMZ350XN , PMZ390UN , PMZ760SN .

History: 2SK1921 | 4N70KL-TMS4-T | APT12M80S

 

 
Back to Top

 


 
.