PMV56XN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMV56XN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.92 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.65 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.76 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
Тип корпуса: TO236AB
PMV56XN Datasheet (PDF)
pmv56xn.pdf
PMV56XNTrenchMOS extremely low level FETRev. 02 24 June 2004 Product dataM3D0881. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.1.3 Applications Battery management
pmv56xn.pdf
Product specificationPMV56XNTrenchMOS extremely low level FETRev. 02 24 June 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.1.3 Applications Batte
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
