PMZ1000UN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMZ1000UN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.48 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Encapsulados: SOT883
Búsqueda de reemplazo de PMZ1000UN MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PMZ1000UN datasheet
pmz1000un.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
Otros transistores... PMV32UP, PMV37EN, PMV40UN, PMV45EN, PMV48XP, PMV56XN, PMV60EN, PMV65XP, IRFP250, PMZ250UN, PMZ270XN, PMZ350XN, PMZ390UN, PMZ760SN, PSMN004-60B, PSMN005-30K, PSMN005-75B
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement
