PMZ1000UN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMZ1000UN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: SOT883

Аналог (замена) для PMZ1000UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ1000UN даташит

 ..1. Size:418K  nxp
 pmz1000un.pdf pdf_icon

PMZ1000UN

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

Другие IGBT... PMV32UP, PMV37EN, PMV40UN, PMV45EN, PMV48XP, PMV56XN, PMV60EN, PMV65XP, IRFP250, PMZ250UN, PMZ270XN, PMZ350XN, PMZ390UN, PMZ760SN, PSMN004-60B, PSMN005-30K, PSMN005-75B