PMZ350XN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMZ350XN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.87 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
Encapsulados: SOT883
Búsqueda de reemplazo de PMZ350XN MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PMZ350XN datasheet
pmz350upe.pdf
PMZ350UPE 20 V, P-channel Trench MOSFET 14 May 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Elect
Otros transistores... PMV45EN, PMV48XP, PMV56XN, PMV60EN, PMV65XP, PMZ1000UN, PMZ250UN, PMZ270XN, 10N65, PMZ390UN, PMZ760SN, PSMN004-60B, PSMN005-30K, PSMN005-75B, PSMN006-20K, PSMN008-75B, PSMN009-100B
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a
