Справочник MOSFET. PMZ350XN

 

PMZ350XN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMZ350XN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.87 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: SOT883
 

 Аналог (замена) для PMZ350XN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMZ350XN Datasheet (PDF)

 8.1. Size:203K  nxp
 pmz350upe.pdf pdf_icon

PMZ350XN

PMZ350UPE20 V, P-channel Trench MOSFET14 May 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Elect

Другие MOSFET... PMV45EN , PMV48XP , PMV56XN , PMV60EN , PMV65XP , PMZ1000UN , PMZ250UN , PMZ270XN , STP80NF70 , PMZ390UN , PMZ760SN , PSMN004-60B , PSMN005-30K , PSMN005-75B , PSMN006-20K , PSMN008-75B , PSMN009-100B .

History: VBM1104N

 

 
Back to Top

 


 
.