STB16N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB16N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.299 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB16N65M5 datasheet

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STB16N65M5

STB16N65M5 STD16N65M5 N-channel 650 V, 0.270 , 12 A MDmesh V Power MOSFET in D PAK, DPAK Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max. STB16N65M5 710 V

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STB16N65M5

STP16NK65Z STB16NK65Z-S N-CHANNEL 650V - 0.38 - 13A TO-220 / I2SPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP16NK65Z 650 V

 8.2. Size:577K  st
stb16nm50n stf16nm50n sti16nm50n stp16nm50n stw16nm50n.pdf pdf_icon

STB16N65M5

STB16NM50N - STF/I16NM50N STP16NM50N - STW16NM50N N-channel 500 V - 0.21 - 15 A MDmesh II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 3 1 2 1 STB16NM50N 550 V 0.26 15 A D PAK I PAK STI16NM50N 550 V 0.26 15 A 3 STF16NM50N 550 V 0.26 15 A (1) 2 1 STP16NM50N 550 V 0.26 15 A TO-247 STW16NM50N 550

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STB16N65M5

STB16NS25 N-CHANNEL 250V - 0.23 - 16AD2PAK MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB16NS25 250 V

Otros transistores... STB14NM50N, STB150NF04, STB150NF55, STB155N3H6, STB155N3LH6, STB15NM60ND, STB160N75F3, STB160NF3LL, BS170, STB16NF06L, STB170NF04, STB180N55F3, STB185N55F3, STB18N55M5, STB18NF25, STB18NM60N, STB18NM80