STB16N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB16N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.299 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB16N65M5
STB16N65M5 Datasheet (PDF)
stb16n65m5 std16n65m5.pdf
STB16N65M5STD16N65M5N-channel 650 V, 0.270 , 12 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, DPAKFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max.STB16N65M5710 V
stb16nk65z-s stp16nk65z.pdf
STP16NK65ZSTB16NK65Z-SN-CHANNEL 650V - 0.38 - 13A TO-220 / I2SPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP16NK65Z 650 V
stb16nm50n stf16nm50n sti16nm50n stp16nm50n stw16nm50n.pdf
STB16NM50N - STF/I16NM50NSTP16NM50N - STW16NM50NN-channel 500 V - 0.21 - 15 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FPFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB16NM50N 550 V 0.26 15 ADPAKIPAKSTI16NM50N 550 V 0.26 15 A3STF16NM50N 550 V 0.26 15 A (1)21STP16NM50N 550 V 0.26 15 ATO-247STW16NM50N 550
stb16ns25.pdf
STB16NS25N-CHANNEL 250V - 0.23 - 16AD2PAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB16NS25 250 V
stb16nf06lt4.pdf
STB16NF06LN-channel 60V - 0.07 - 16A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB16NF06L 60V
stb16nb25.pdf
STB16NB25N - CHANNEL 250V - 0.220 - 16 A - TO-263PowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB16NB25 250 V
stb16ns25t4.pdf
STB16NS25N-CHANNEL 250V - 0.23 - 16AD2PAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB16NS25 250 V
stb16nm50n stf16nm50n sti16nm50n stp16nm50n stw16nm50n.pdf
STB16NM50N - STF/I16NM50NSTP16NM50N - STW16NM50NN-channel 500 V - 0.21 - 15 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FPFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB16NM50N 550 V 0.26 15 ADPAKIPAKSTI16NM50N 550 V 0.26 15 A3STF16NM50N 550 V 0.26 15 A (1)21STP16NM50N 550 V 0.26 15 ATO-247STW16NM50N 550
stp16nk65z stb16nk65z-s.pdf
STP16NK65ZSTB16NK65Z-SN-CHANNEL 650V - 0.38 - 13A TO-220 / I2SPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP16NK65Z 650 V
stb16nf06l.pdf
STB16NF06LN-channel 60V - 0.07 - 16A - D2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB16NF06L 60V
stb16ne06.pdf
STB60NE06-16N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTB60NE06-1 60 V
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: CEP830G
History: CEP830G
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918