STB16N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB16N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.299 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB16N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB16N65M5 даташит

 ..1. Size:1032K  st
 stb16n65m5 std16n65m5.pdf pdf_icon

STB16N65M5

STB16N65M5 STD16N65M5 N-channel 650 V, 0.270 , 12 A MDmesh V Power MOSFET in D PAK, DPAK Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max. STB16N65M5 710 V

 8.1. Size:294K  st
 stb16nk65z-s stp16nk65z.pdf pdf_icon

STB16N65M5

STP16NK65Z STB16NK65Z-S N-CHANNEL 650V - 0.38 - 13A TO-220 / I2SPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP16NK65Z 650 V

 8.2. Size:577K  st
 stb16nm50n stf16nm50n sti16nm50n stp16nm50n stw16nm50n.pdf pdf_icon

STB16N65M5

STB16NM50N - STF/I16NM50N STP16NM50N - STW16NM50N N-channel 500 V - 0.21 - 15 A MDmesh II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 3 1 2 1 STB16NM50N 550 V 0.26 15 A D PAK I PAK STI16NM50N 550 V 0.26 15 A 3 STF16NM50N 550 V 0.26 15 A (1) 2 1 STP16NM50N 550 V 0.26 15 A TO-247 STW16NM50N 550

 8.3. Size:469K  st
 stb16ns25.pdf pdf_icon

STB16N65M5

STB16NS25 N-CHANNEL 250V - 0.23 - 16AD2PAK MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB16NS25 250 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB14NM50N, STB150NF04, STB150NF55, STB155N3H6, STB155N3LH6, STB15NM60ND, STB160N75F3, STB160NF3LL, BS170, STB16NF06L, STB170NF04, STB180N55F3, STB185N55F3, STB18N55M5, STB18NF25, STB18NM60N, STB18NM80