STB170NF04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB170NF04
   Código: B170NF04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 117 nC
   Tiempo de subida (tr): 57 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1400 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB170NF04

STB170NF04 Datasheet (PDF)

..1. Size:384K st
stb170nf04.pdf

STB170NF04N-channel 40 V, 4.4 m, 80 A, D2PAKSTripFET II Power MOSFETFeatures VDSS RDS(on) ID PTOTTypeSTB170NF04 40 V

9.1. Size:917K st
stb17n80k5.pdf

STB17N80K5 N-channel 800 V, 0.29 typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DTABSTB17N80K5 800 V 0.34 14 A 2 Industrys lowest RDS(on) x area 3 Industrys best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avalanche tested DPAK Zener-protected

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Liste

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