STB170NF04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB170NF04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB170NF04 datasheet

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STB170NF04

STB170NF04 N-channel 40 V, 4.4 m , 80 A, D2PAK STripFET II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) ID PTOT Type STB170NF04 40 V

 9.1. Size:917K  st
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STB170NF04

STB17N80K5 N-channel 800 V, 0.29 typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D PAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D TAB STB17N80K5 800 V 0.34 14 A 2 Industry s lowest RDS(on) x area 3 Industry s best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avalanche tested D PAK Zener-protected

Otros transistores... STB150NF55, STB155N3H6, STB155N3LH6, STB15NM60ND, STB160N75F3, STB160NF3LL, STB16N65M5, STB16NF06L, IRFP250, STB180N55F3, STB185N55F3, STB18N55M5, STB18NF25, STB18NM60N, STB18NM80, STB190NF04, STB19NF20