Справочник MOSFET. STB170NF04

 

STB170NF04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB170NF04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB170NF04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB170NF04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  st
 stb170nf04.pdf pdf_icon

STB170NF04

STB170NF04N-channel 40 V, 4.4 m, 80 A, D2PAKSTripFET II Power MOSFETFeatures VDSS RDS(on) ID PTOTTypeSTB170NF04 40 V

 9.1. Size:917K  st
 stb17n80k5.pdf pdf_icon

STB170NF04

STB17N80K5 N-channel 800 V, 0.29 typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DTABSTB17N80K5 800 V 0.34 14 A 2 Industrys lowest RDS(on) x area 3 Industrys best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avalanche tested DPAK Zener-protected

Другие MOSFET... STB150NF55 , STB155N3H6 , STB155N3LH6 , STB15NM60ND , STB160N75F3 , STB160NF3LL , STB16N65M5 , STB16NF06L , STF13NM60N , STB180N55F3 , STB185N55F3 , STB18N55M5 , STB18NF25 , STB18NM60N , STB18NM80 , STB190NF04 , STB19NF20 .

History: IRFIZ14G | NTMS4937NR2G | SL9435A | IRF541FI | LNG05R100 | IRLML2060TR

 

 
Back to Top

 


 
.