STB170NF04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB170NF04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB170NF04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB170NF04 даташит

 ..1. Size:384K  st
 stb170nf04.pdf pdf_icon

STB170NF04

STB170NF04 N-channel 40 V, 4.4 m , 80 A, D2PAK STripFET II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) ID PTOT Type STB170NF04 40 V

 9.1. Size:917K  st
 stb17n80k5.pdf pdf_icon

STB170NF04

STB17N80K5 N-channel 800 V, 0.29 typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D PAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D TAB STB17N80K5 800 V 0.34 14 A 2 Industry s lowest RDS(on) x area 3 Industry s best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avalanche tested D PAK Zener-protected

Другие IGBT... STB150NF55, STB155N3H6, STB155N3LH6, STB15NM60ND, STB160N75F3, STB160NF3LL, STB16N65M5, STB16NF06L, IRFP250, STB180N55F3, STB185N55F3, STB18N55M5, STB18NF25, STB18NM60N, STB18NM80, STB190NF04, STB19NF20