STB26NM60N Todos los transistores

 

STB26NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB26NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB26NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1039K  st
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STB26NM60N

STB26NM60N, STP26NM60N N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DTABSTB26NM60N TAB600 V 0.165 20 A STP26NM60N 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and gate charge D2PAK TO-220 21 Low gate input resistance Application

 ..2. Size:1134K  st
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STB26NM60N

STB26NM60N, STF26NM60NSTP26NM60N, STW26NM60NN-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax32312STB26NM60N 600 V

 0.1. Size:1344K  st
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STB26NM60N

STB26NM60ND, STF26NM60ND, STP26NM60ND, STW26NM60NDN-channel 600 V, 0.145 typ., 21 A, FDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS @ Tjmax RDS(on) max ID31STB26NM60ND23D PAK21 STF26NM60ND650 V 0.175 21 ATO-220FPSTP26NM60NDTABSTW26NM60ND 100% avalanche tested3 32

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History: SSF6808A | KMB6D0DN30QA | MTB09N06Q8 | IPI80N06S4L-07 | CRTD045N03L | SIS406DN | IPP080N06NG

 

 
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