STB26NM60N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB26NM60N
Маркировка: 26NM60N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 115 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.165 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB26NM60N
STB26NM60N Datasheet (PDF)
stb26nm60n stp26nm60n.pdf
STB26NM60N, STP26NM60N N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DTABSTB26NM60N TAB600 V 0.165 20 A STP26NM60N 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and gate charge D2PAK TO-220 21 Low gate input resistance Application
stb26nm60n stf26nm60n stp26nm60n stw26nm60n.pdf
STB26NM60N, STF26NM60NSTP26NM60N, STW26NM60NN-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax32312STB26NM60N 600 V
stb26nm60nd stf26nm60nd stp26nm60nd stw26nm60nd.pdf
STB26NM60ND, STF26NM60ND, STP26NM60ND, STW26NM60NDN-channel 600 V, 0.145 typ., 21 A, FDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS @ Tjmax RDS(on) max ID31STB26NM60ND23D PAK21 STF26NM60ND650 V 0.175 21 ATO-220FPSTP26NM60NDTABSTW26NM60ND 100% avalanche tested3 32
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
