STB270N4F3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB270N4F3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB270N4F3 datasheet

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STB270N4F3

STB270N4F3 STI270N4F3 N-channel 40 V, 1.6 m , 160 A, D2PAK, I2PAK STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PTOT max STB270N4F3 40 V

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STB270N4F3

STB270N04 STB270N04-1 - STP270N04 N-CHANNEL 40V - 2.1m - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID PTOT STB270N04-1 40V

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STB270N4F3

STB27NM60ND, STW27NM60ND Automotive-grade N-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order codes VDS@ Tjmax RDS(on) max ID STB27NM60ND TAB 650 V 0.16 21 A STW27NM60ND Designed for automotive applications and 3 3 2 1 AEC-Q101 qualified 1 D2PAK The worldwide best RDS

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STB270N4F3

STB27NM60ND STW27NM60ND N-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-247 Features VDSS @ Type RDS(on) max ID TJMAX TAB STB27NM60ND 21 A 650 V 0.16 STW27NM60ND 21 A 3 3 The worldwide best RDS(on)*area amongst the 2 1 1 fast recovery diode devices D2PAK TO-247 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge

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