Справочник MOSFET. STB270N4F3

 

STB270N4F3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STB270N4F3
   Маркировка: 270N4F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
   trⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STB270N4F3

 

 

STB270N4F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:798K  st
 stb270n4f3 sti270n4f3.pdf

STB270N4F3 STB270N4F3

STB270N4F3STI270N4F3N-channel 40 V, 1.6 m, 160 A, D2PAK, I2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PTOTmaxSTB270N4F3 40 V

 7.1. Size:302K  st
 stb270n04-1 stb270n04 stp270n04.pdf

STB270N4F3 STB270N4F3

STB270N04STB270N04-1 - STP270N04N-CHANNEL 40V - 2.1m - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PTOTSTB270N04-1 40V

 9.1. Size:519K  st
 stb27nm60nd stw27nm60nd.pdf

STB270N4F3 STB270N4F3

STB27NM60ND, STW27NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS@ Tjmax RDS(on) max IDSTB27NM60NDTAB650 V 0.16 21 ASTW27NM60ND Designed for automotive applications and 3 321AEC-Q101 qualified1D2PAK The worldwide best RDS

 9.2. Size:506K  st
 stb27nm60nd.pdf

STB270N4F3 STB270N4F3

STB27NM60NDSTW27NM60NDN-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) in D2PAK, TO-247FeaturesVDSS @Type RDS(on) max IDTJMAXTABSTB27NM60ND 21 A650 V 0.16 STW27NM60ND 21 A3 3 The worldwide best RDS(on)*area amongst the 211fast recovery diode devicesD2PAKTO-247 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top