STB30N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB30N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.139 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB30N65M5 datasheet

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stb30n65m5 stf30n65m5 sti30n65m5 stp30n65m5 stw30n65m5.pdf pdf_icon

STB30N65M5

STB30N65M5, STF30N65M5, STI30N65M5 STP30N65M5, STW30N65M5 N-channel 650 V, 0.125 , 22 A, MDmesh V Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS @ Type RDS(on) max ID TJMAX 3 3 1 2 3 1 2 STB30N65M5 710 V

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STB30N65M5

STB30NS15 N-CHANNEL 150V - 0.075 - 30A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB30NS15 150 V

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STB30N65M5

STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP N-CHANNEL 100V - 0.038 - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB30NF10 100 V

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stb30nf10 stp30nf10 stp30nf10fp.pdf pdf_icon

STB30N65M5

STB30NF10 STP30NF10 - STP30NF10FP N-channel 100V - 0.038 - 35A - D2PAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB30NF10 100V

Otros transistores... STB24NM60N, STB24NM65N, STB25NM50N, STB25NM60ND, STB26NM60N, STB270N4F3, STB28NM50N, STB300NH02L, EMB04N03H, STB30NF10, STB30NF20, STB30NM50N, STB30NM60ND, STB32N65M5, STB34NM60ND, STB35N65M5, STB35NF10