STB30N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB30N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.139 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB30N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB30N65M5 даташит

 ..1. Size:1205K  st
stb30n65m5 stf30n65m5 sti30n65m5 stp30n65m5 stw30n65m5.pdfpdf_icon

STB30N65M5

STB30N65M5, STF30N65M5, STI30N65M5 STP30N65M5, STW30N65M5 N-channel 650 V, 0.125 , 22 A, MDmesh V Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS @ Type RDS(on) max ID TJMAX 3 3 1 2 3 1 2 STB30N65M5 710 V

 8.1. Size:359K  st
stb30ns15.pdfpdf_icon

STB30N65M5

STB30NS15 N-CHANNEL 150V - 0.075 - 30A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB30NS15 150 V

 8.2. Size:455K  st
stb30nf10.pdfpdf_icon

STB30N65M5

STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP N-CHANNEL 100V - 0.038 - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB30NF10 100 V

 8.3. Size:502K  st
stb30nf10 stp30nf10 stp30nf10fp.pdfpdf_icon

STB30N65M5

STB30NF10 STP30NF10 - STP30NF10FP N-channel 100V - 0.038 - 35A - D2PAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB30NF10 100V

Другие IGBT... STB24NM60N, STB24NM65N, STB25NM50N, STB25NM60ND, STB26NM60N, STB270N4F3, STB28NM50N, STB300NH02L, EMB04N03H, STB30NF10, STB30NF20, STB30NM50N, STB30NM60ND, STB32N65M5, STB34NM60ND, STB35N65M5, STB35NF10