STB36NF06L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STB36NF06L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 18 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Encapsulados: D2PAK
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STB36NF06L datasheet
stp36nf06l stb36nf06l.pdf
STP36NF06L STB36NF06L N-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP36NF06L 60V
stb36nf06lt4.pdf
STP36NF06L STB36NF06L N-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP36NF06L 60V
stb36nm60nd stw36nm60nd.pdf
STB36NM60ND, STW36NM60ND Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packages Datasheet - production data Features VDSS @TJ RDS(on) Order codes ID max. max. TAB STB36NM60ND 650 V 0.110 29 A STW36NM60ND 3 Designed for automotive applications and 1 3 2 AEC-Q101 qualified 1 100% avalanche t
stb36nm60n.pdf
STB36NM60N Automotive-grade N-channel 600 V, 0.093 , 29 A, MDmesh II Power MOSFET in a D PAK package Datasheet production data Features VDS @ RDS(on) Order code ID PTOT TAB TJmax max. STB36NM60N 650 V 0.105 29 A 210 W Designed for automotive applications and 3 AEC-Q101 qualified 1 100% avalanche tested 2 D PAK Low input capacitance and gate charge
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History: SMOS21N50
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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