STB36NF06L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB36NF06L
Маркировка: B36NF06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 18 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Время нарастания (tr): 80 ns
Выходная емкость (Cd): 170 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB36NF06L
STB36NF06L Datasheet (PDF)
stp36nf06l stb36nf06l.pdf
STP36NF06LSTB36NF06LN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06L 60V
stb36nf06lt4.pdf
STP36NF06LSTB36NF06LN-channel 60V - 0.032 - 30A - TO-220 - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP36NF06L 60V
stb36nm60nd stw36nm60nd.pdf
STB36NM60ND, STW36NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesVDSS @TJ RDS(on) Order codes IDmax. max.TABSTB36NM60ND650 V 0.110 29 ASTW36NM60ND3 Designed for automotive applications and 1 32 AEC-Q101 qualified1 100% avalanche t
stb36nm60n.pdf
STB36NM60NAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.093 , 29 A, MDmesh II Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet production dataFeatures VDS @RDS(on) Order code ID PTOTTABTJmax max.STB36NM60N 650 V 0.105 29 A 210 W Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified1 100% avalanche tested2D PAK Low input capacitance and gate charge
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
