STB40NF10 Todos los transistores

 

STB40NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB40NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de STB40NF10 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STB40NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  st
 stb40nf10.pdf pdf_icon

STB40NF10

STB40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10 100V

 0.1. Size:400K  st
 stb40nf10l.pdf pdf_icon

STB40NF10

STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V

 0.2. Size:403K  st
 stb40nf10t4.pdf pdf_icon

STB40NF10

STB40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10 100V

 0.3. Size:393K  st
 stb40nf10lt4.pdf pdf_icon

STB40NF10

STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STB32N65M5 , STB34NM60ND , STB35N65M5 , STB35NF10 , STB36NF06L , STB36NM60N , STB3N62K3 , STB3NK60Z , 20N60 , STB40NF10L , STB40NF20 , STB40NS15 , STB42N65M5 , STB45NF06 , STB4N62K3 , STB4NK60Z , STB4NK60Z-1 .

History: WTK4435 | MTB06N03E3 | WSF20N06 | IPP80N04S2-H4 | SSG4228 | IPI100N08N3 | HM2300

 

 
Back to Top

 


 
.