Справочник MOSFET. STB40NF10

 

STB40NF10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB40NF10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB40NF10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB40NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  st
 stb40nf10.pdf pdf_icon

STB40NF10

STB40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10 100V

 0.1. Size:400K  st
 stb40nf10l.pdf pdf_icon

STB40NF10

STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V

 0.2. Size:403K  st
 stb40nf10t4.pdf pdf_icon

STB40NF10

STB40NF10N-channel 100V - 0.025 - 50A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10 100V

 0.3. Size:393K  st
 stb40nf10lt4.pdf pdf_icon

STB40NF10

STB40NF10LN-channel 100V - 0.028 - 40A - D2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB40NF10L 100V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STB32N65M5 , STB34NM60ND , STB35N65M5 , STB35NF10 , STB36NF06L , STB36NM60N , STB3N62K3 , STB3NK60Z , 20N60 , STB40NF10L , STB40NF20 , STB40NS15 , STB42N65M5 , STB45NF06 , STB4N62K3 , STB4NK60Z , STB4NK60Z-1 .

History: IRLL110TRPBF | FDD86567-F085 | H7N0308CF

 

 
Back to Top

 


 
.