STB42N65M5 Todos los transistores

 

STB42N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB42N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de STB42N65M5 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STB42N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1097K  st
 stb42n65m5 stf42n65m5 sti42n65m5 stp42n65m5 stw42n65m5.pdf pdf_icon

STB42N65M5

STx42N65M5N-channel 650 V, 0.070 , 33 A MDmesh V Power MOSFETin I2PAK, TO-220, TO-220FP, D2PAK and TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max3 3321STB42N65M5 710 V

 9.1. Size:187K  samhop
 stb423s stp423s.pdf pdf_icon

STB42N65M5

GreenProductS T B / P 4 2 3 SS amHop Microelectronics C orp. Feb.26,2007P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorPR ODUC T S UMMAR YF E ATUR E S4R DS (ON) ( m ) MaxVDS S IDS uper high dense cell design for extremely low R DS (ON).9.5 @ VG S = -10V High power and current handling capability.- 40V - 65ATO-220 & TO-263 package.12.5 @ VG S

Otros transistores... STB36NF06L , STB36NM60N , STB3N62K3 , STB3NK60Z , STB40NF10 , STB40NF10L , STB40NF20 , STB40NS15 , IRF640 , STB45NF06 , STB4N62K3 , STB4NK60Z , STB4NK60Z-1 , STB50N25M5 , STB50NF25 , STB55NF03L , STB55NF06 .

History: NTTFS3A08PZ | IRLZ14S | RU30L15H | SFP041N100C3 | IRFR4105PBF | IPP029N06N | IRFB3077G

 

 
Back to Top

 


 
.