Справочник MOSFET. STB42N65M5

 

STB42N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB42N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.079 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB42N65M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB42N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1097K  st
 stb42n65m5 stf42n65m5 sti42n65m5 stp42n65m5 stw42n65m5.pdf pdf_icon

STB42N65M5

STx42N65M5N-channel 650 V, 0.070 , 33 A MDmesh V Power MOSFETin I2PAK, TO-220, TO-220FP, D2PAK and TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max3 3321STB42N65M5 710 V

 9.1. Size:187K  samhop
 stb423s stp423s.pdf pdf_icon

STB42N65M5

GreenProductS T B / P 4 2 3 SS amHop Microelectronics C orp. Feb.26,2007P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorPR ODUC T S UMMAR YF E ATUR E S4R DS (ON) ( m ) MaxVDS S IDS uper high dense cell design for extremely low R DS (ON).9.5 @ VG S = -10V High power and current handling capability.- 40V - 65ATO-220 & TO-263 package.12.5 @ VG S

Другие MOSFET... STB36NF06L , STB36NM60N , STB3N62K3 , STB3NK60Z , STB40NF10 , STB40NF10L , STB40NF20 , STB40NS15 , IRF640 , STB45NF06 , STB4N62K3 , STB4NK60Z , STB4NK60Z-1 , STB50N25M5 , STB50NF25 , STB55NF03L , STB55NF06 .

History: NCEP033N10M | SIZ346DT | KIA2910N-263 | PSMN4R4-80BS | SIS334DN | TMD2N60H | NTTFS5C478NL

 

 
Back to Top

 


 
.