STB42N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB42N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.079 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB42N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB42N65M5 даташит

 ..1. Size:1097K  st
 stb42n65m5 stf42n65m5 sti42n65m5 stp42n65m5 stw42n65m5.pdf pdf_icon

STB42N65M5

STx42N65M5 N-channel 650 V, 0.070 , 33 A MDmesh V Power MOSFET in I2PAK, TO-220, TO-220FP, D2PAK and TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max 3 3 3 2 1 STB42N65M5 710 V

 9.1. Size:187K  samhop
 stb423s stp423s.pdf pdf_icon

STB42N65M5

Green Product S T B / P 4 2 3 S S amHop Microelectronics C orp. Feb.26,2007 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S 4 R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID S uper high dense cell design for extremely low R DS (ON) . 9.5 @ VG S = -10V High power and current handling capability. - 40V - 65A TO-220 & TO-263 package. 12.5 @ VG S

Другие IGBT... STB36NF06L, STB36NM60N, STB3N62K3, STB3NK60Z, STB40NF10, STB40NF10L, STB40NF20, STB40NS15, IRFP460, STB45NF06, STB4N62K3, STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STB50N25M5, STB50NF25, STB55NF03L, STB55NF06