STB50N25M5 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STB50N25M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB50N25M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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STB50N25M5 datasheet

..1. Size:835K st
stb50n25m5.pdf pdf_icon

STB50N25M5 N-channel 250 V, 0.055 , 28 A, D2PAK MDmesh V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB50N25M5 250 V

8.1. Size:95K st
stb50ne08.pdf pdf_icon

STB50NE08 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB50NE08 80 V

8.2. Size:443K st
stb50ne10.pdf pdf_icon

STB50NE10 N-channel 100V - 0.021 - 50A - D2PAK STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB50NE10 100V

8.3. Size:345K st
stb50nf25 stp50nf25.pdf pdf_icon

STB50NF25 STP50NF25 N-channel 250V - 0.055 - 45A - D2PAK - TO-220 low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PW Max STP50NF25 250 V

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