STB50N25M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB50N25M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB50N25M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB50N25M5 даташит

 ..1. Size:835K  st
 stb50n25m5.pdf pdf_icon

STB50N25M5

STB50N25M5 N-channel 250 V, 0.055 , 28 A, D2PAK MDmesh V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STB50N25M5 250 V

 8.1. Size:95K  st
 stb50ne08.pdf pdf_icon

STB50N25M5

STB50NE08 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB50NE08 80 V

 8.2. Size:443K  st
 stb50ne10.pdf pdf_icon

STB50N25M5

STB50NE10 N-channel 100V - 0.021 - 50A - D2PAK STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB50NE10 100V

 8.3. Size:345K  st
 stb50nf25 stp50nf25.pdf pdf_icon

STB50N25M5

STB50NF25 STP50NF25 N-channel 250V - 0.055 - 45A - D2PAK - TO-220 low gate charge STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID PW Max STP50NF25 250 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB40NF10L, STB40NF20, STB40NS15, STB42N65M5, STB45NF06, STB4N62K3, STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, IRFB4110, STB50NF25, STB55NF03L, STB55NF06, STB55NF06L, STB5N52K3, STB5N62K3, STB5NK50Z, STB60N55F3