STB60N55F3 Todos los transistores

 

STB60N55F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB60N55F3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STB60N55F3 Datasheet (PDF)

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STB60N55F3

STB60N55F3, STD60N55F3, STF60N55F3STI60N55F3, STP60N55F3, STU60N55F3N-channel 55 V, 6.5 m, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220TO-220FP STripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw332131STB60N55F3 55V

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STB60N55F3

STB60NE03L-12N - CHANNEL 30V - 0.009 - 60A - D2PAK "SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET PRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB60NE03L-12 30 V

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STB60N55F3

STB60NF06N-CHANNEL 60V - 0.014 - 60A D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB60NF06 60V

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STB60N55F3

STB60NF06LSTP60NF06L - STP60NF06LFPN-channel 60V - 0.012 - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NF06L 60V

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History: FIR7N60FG | SI4992EY | FQB19N20LTM | TPC8001 | WSP4435A | WSP4067 | IRFF9132

 

 
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