STB60N55F3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STB60N55F3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ
- Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ -
Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STB60N55F3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STB60N55F3 даташит
..1. Size:624K st
stb60n55f3 std60n55f3 stf60n55f3 sti60n55f3 stu60n55f3 stp60n55f3.pdf 

STB60N55F3, STD60N55F3, STF60N55F3 STI60N55F3, STP60N55F3, STU60N55F3 N-channel 55 V, 6.5 m , 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET III Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 3 2 1 3 1 STB60N55F3 55V
8.1. Size:51K st
stb60ne03l-12.pdf 

STB60NE03L-12 N - CHANNEL 30V - 0.009 - 60A - D2PAK "SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NE03L-12 30 V
8.2. Size:425K st
stb60nf06.pdf 

STB60NF06 N-CHANNEL 60V - 0.014 - 60A D2PAK STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NF06 60V
8.4. Size:415K st
stb60nf06-1 stb60nf06t4.pdf 

STB60NF06 STB60NF06-1 N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NF06-1 60V
8.5. Size:446K st
stb60ne06l-16t4.pdf 

STB60NE06L-16 N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NE06L-16 60V
8.6. Size:514K st
stb60nf06l stp60nf06l stp60nf06lfp.pdf 

STB60NF06L STP60NF06L - STP60NF06LFP N-channel 60V - 0.012 - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NF06L 60V
8.7. Size:568K st
stb60nh02lt4.pdf 

STB60NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0085 - 60A D PAK STripFET III POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NH02L 24 V
8.8. Size:87K st
stb60n03l-10.pdf 

STB60N03L-10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMIRARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STB60N03L-10 30 V
8.9. Size:419K st
stb60nf06 stb60nf06-1.pdf 

STB60NF06 STB60NF06-1 N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NF06-1 60V
8.10. Size:359K st
stb60nf10-1 stb60nf10t4.pdf 

STB60NF10 STB60NF10-1 - STP60NF10 N-channel 100V - 0.019 - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET II Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 3 1 2 STB60NF10 100V
8.11. Size:580K st
stb60nh02l.pdf 

STB60NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0085 - 60A D PAK STripFET III POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NH02L 24 V
8.12. Size:450K st
stb60ne06l-16.pdf 

STB60NE06L-16 N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB60NE06L-16 60V
8.13. Size:472K st
stb60nf06l.pdf 

STB60NF06L STP60NF06L STP60NF06LFP N-CHANNEL 60V - 0.012 - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB60NF06L 60 V
8.14. Size:87K st
stb60n06-14.pdf 

STB60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STB60N06-14 60 V
8.16. Size:364K st
stb60nf10 stb60nf10-1 stp60nf10.pdf 

STB60NF10 STB60NF10-1 - STP60NF10 N-channel 100V - 0.019 - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET II Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 3 1 2 STB60NF10 100V
8.17. Size:1410K cn vbsemi
stb60nf06.pdf 

STB60NF06 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 60 60 0.013 at VGS = 4.5 V 50 D D2PAK (TO-263) G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit VGS Gate-Sourc
8.18. Size:867K cn vbsemi
stb60n06-14.pdf 

STB60N06-14 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 60 60 0.013 at VGS = 4.5 V 50 D D2PAK (TO-263) G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit VGS Gate-Sou
Другие IGBT... STB50N25M5, STB50NF25, STB55NF03L, STB55NF06, STB55NF06L, STB5N52K3, STB5N62K3, STB5NK50Z, IRFB4115, STB60NF06, STB60NF06L, STB60NF10, STB6N52K3, STB6NK60Z, STB6NK60Z-1, STB6NK90Z, STB70NF03L