Справочник MOSFET. STB60N55F3

 

STB60N55F3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB60N55F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STB60N55F3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB60N55F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  st
stb60n55f3 std60n55f3 stf60n55f3 sti60n55f3 stu60n55f3 stp60n55f3.pdfpdf_icon

STB60N55F3

STB60N55F3, STD60N55F3, STF60N55F3STI60N55F3, STP60N55F3, STU60N55F3N-channel 55 V, 6.5 m, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220TO-220FP STripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID Pw332131STB60N55F3 55V

 8.1. Size:51K  st
stb60ne03l-12.pdfpdf_icon

STB60N55F3

STB60NE03L-12N - CHANNEL 30V - 0.009 - 60A - D2PAK "SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET PRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTB60NE03L-12 30 V

 8.2. Size:425K  st
stb60nf06.pdfpdf_icon

STB60N55F3

STB60NF06N-CHANNEL 60V - 0.014 - 60A D2PAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB60NF06 60V

 8.3. Size:514K  st
stb60nf06lt4 stb60nf06l stp60nf06l stp60nf06lfp stp60nf06lfp.pdfpdf_icon

STB60N55F3

STB60NF06LSTP60NF06L - STP60NF06LFPN-channel 60V - 0.012 - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NF06L 60V

Другие MOSFET... STB50N25M5 , STB50NF25 , STB55NF03L , STB55NF06 , STB55NF06L , STB5N52K3 , STB5N62K3 , STB5NK50Z , IRFP250N , STB60NF06 , STB60NF06L , STB60NF10 , STB6N52K3 , STB6NK60Z , STB6NK60Z-1 , STB6NK90Z , STB70NF03L .

History: HM2310 | 9N90C | STK830D

 

 
Back to Top

 


 
.