STB7N52K3 Todos los transistores

 

STB7N52K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STB7N52K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 525 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.98 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STB7N52K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1194K  st
 stb7n52k3 std7n52k3 stf7n52k3 stp7n52k3.pdf pdf_icon

STB7N52K3

STB7N52K3, STD7N52K3STF7N52K3, STP7N52K3N-channel 525 V, 0.84 , 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220SuperMESH3 Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax 3311STB7N52K3 525 V

 ..2. Size:1317K  st
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STB7N52K3

STB7N52K3, STD7N52K3STF7N52K3, STP7N52K3N-channel 525 V, 0.72 , 6 A, DPAK, DPAK, TO-220FP, TO-220SuperMESH3 Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order codes VDSS ID Pwmax. 3311STB7N52K3 90 WDPAKDPAKSTD7N52K3 90 W525 V

 9.1. Size:937K  st
 stb7nk80zt4 stb7nk80z stb7nk80z-1 stp7nk80zfp stp7nk80z.pdf pdf_icon

STB7N52K3

STB7NK80Z, STB7NK80Z-1STP7NK80ZFP, STP7NK80ZN-channel 800 V, 1.5 , 5.2 A, TO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAKZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STP7NK80Z 800V

 9.2. Size:125K  st
 stb7na40.pdf pdf_icon

STB7N52K3

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History: HSU3006

 

 
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