STB7N52K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB7N52K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 525 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.98 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для STB7N52K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB7N52K3 даташит

 ..1. Size:1194K  st
 stb7n52k3 std7n52k3 stf7n52k3 stp7n52k3.pdf pdf_icon

STB7N52K3

STB7N52K3, STD7N52K3 STF7N52K3, STP7N52K3 N-channel 525 V, 0.84 , 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 3 1 1 STB7N52K3 525 V

 ..2. Size:1317K  st
 stb7n52k3 std7n52k3 stf7n52k3 stp7n52k3 2.pdf pdf_icon

STB7N52K3

STB7N52K3, STD7N52K3 STF7N52K3, STP7N52K3 N-channel 525 V, 0.72 , 6 A, D PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET Features RDS(on) Order codes VDSS ID Pw max. 3 3 1 1 STB7N52K3 90 W DPAK D PAK STD7N52K3 90 W 525 V

 9.1. Size:937K  st
 stb7nk80zt4 stb7nk80z stb7nk80z-1 stp7nk80zfp stp7nk80z.pdf pdf_icon

STB7N52K3

STB7NK80Z, STB7NK80Z-1 STP7NK80ZFP, STP7NK80Z N-channel 800 V, 1.5 , 5.2 A, TO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP7NK80Z 800V

 9.2. Size:125K  st
 stb7na40.pdf pdf_icon

STB7N52K3

STB7NA40 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on ) D STB7NA40 400 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB70NF03L, STB70NF03L-1, STB70NF3LL, STB70NFS03L, STB75NF20, STB75NF75, STB75NF75L, STB76NF75, K3569, STB7NK80Z, STB7NK80Z-1, STB80N20M5, STB80NF03L-04, STB80NF03L-04T4, STB80NF10, STB80NF55-08T4, STB80NF55L-06