STD10PF06 Todos los transistores

 

STD10PF06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD10PF06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD10PF06 Datasheet (PDF)

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STD10PF06

STD10PF06P-CHANNEL 60V - 0.18 - 10A IPAK/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD10PF06 60 V

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STD10PF06

STD10PF06P-CHANNEL 60V - 0.18 - 10A IPAK/DPAKSTripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD10PF06 60 V

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STD10PF06

STD10PF06T4www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter S

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STD10PF06

STD10P6F6, STF10P6F6, STP10P6F6, STU10P6F6P-channel -60 V, 0.13 typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max ID3STD10P6F613STF10P6F62DPAK-60 V 0.16 -10 A 1STP10P6F6TO-220FPSTU10P6F6TABTAB Very low on-resistance3 Very low gate char

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History: IRF7506 | TK7Q65W | 2SK3262-01MR | AM4403

 

 
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