Аналоги STD10PF06. Основные параметры
Наименование производителя: STD10PF06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD10PF06
STD10PF06 даташит
std10pf06t4.pdf
STD10PF06T4 www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter S
std10p6f6 stf10p6f6 stp10p6f6 stu10p6f6.pdf
STD10P6F6, STF10P6F6, STP10P6F6, STU10P6F6 P-channel -60 V, 0.13 typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB Order codes VDS RDS(on) max ID 3 STD10P6F6 1 3 STF10P6F6 2 DPAK -60 V 0.16 -10 A 1 STP10P6F6 TO-220FP STU10P6F6 TAB TAB Very low on-resistance 3 Very low gate char
Другие MOSFET... STB9NK70Z-1 , STB9NK90Z , STD100N3LF3 , STD10NF10 , STD10NM50N , STD10NM60N , STD10NM60ND , STD10NM65N , RFP50N06 , STD11NM50N , STD11NM60ND , STD120N4F6 , STD120N4LF6 , STD12N65M5 , STD12NF06 , STD12NF06L , STD12NF06T4 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOK065V65X2 | AOK065V120X2 | AOK033V120X2Q | AOK033V120X2 | AOB380A60L | AOB29S50L | AO3481C | AO3480 | APG068N04Q | APG068N04G | APG060N85D | APG054N10D | APG054N10 | APG050N85D | APG050N85 | APG046N01G
Popular searches
bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n






