STD10PF06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STD10PF06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STD10PF06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD10PF06 даташит

 ..1. Size:295K  st
 std10pf06.pdf pdf_icon

STD10PF06

 0.1. Size:196K  st
 std10pf06-1 std10pf06t4.pdf pdf_icon

STD10PF06

 0.2. Size:870K  cn vbsemi
 std10pf06t4.pdf pdf_icon

STD10PF06

STD10PF06T4 www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter S

 8.1. Size:1198K  st
 std10p6f6 stf10p6f6 stp10p6f6 stu10p6f6.pdf pdf_icon

STD10PF06

STD10P6F6, STF10P6F6, STP10P6F6, STU10P6F6 P-channel -60 V, 0.13 typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB Order codes VDS RDS(on) max ID 3 STD10P6F6 1 3 STF10P6F6 2 DPAK -60 V 0.16 -10 A 1 STP10P6F6 TO-220FP STU10P6F6 TAB TAB Very low on-resistance 3 Very low gate char

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STB9NK70Z-1, STB9NK90Z, STD100N3LF3, STD10NF10, STD10NM50N, STD10NM60N, STD10NM60ND, STD10NM65N, RFP50N06, STD11NM50N, STD11NM60ND, STD120N4F6, STD120N4LF6, STD12N65M5, STD12NF06, STD12NF06L, STD12NF06T4